三星电子为制造新一代DRAM，预计不久后将投入第10纳米级第6代（1c）工艺。

据业界1日透露，三星电子前一天完成了1c DRAM工程的内部批准程序PRA(Production Readiness Approval)。

PRA是在产品大量生产之前,判断内部是否做好生产准备的程序。

也就是说,为了开发新一代DRAM工程,满足了公司规定的信赖性测试通过率、收益率(合格品比率)等核心成果指标(KPI)。 这可以解释为,三星电子向新一代DRAM的批量生产又迈进了一步。

三星电子的新工程为克服公司所处的危机状况提供了线索,因此受到了业界的关注。

三星电子就1c DRAM的批量生产日程，一直被怀疑落后于竞争公司SK海力士和美国的美光。

特别是，此次1c工程的开发难度非常大，成为各公司尖端技术的角逐场。 10纳米级DRAM工艺技术为了改善性能，正在进行细微化。 其中，该工程以线路宽度为准，只有11纳米（1纳米等于10亿分之1米），这实际上已经到了可以用平面（二维）体现的接近尾声阶段。

通过该工程制造的DRAM芯片将直接带动产品竞争力。 即使是同一代工艺，其性能和效率的差异程度也会完全取决于市场对产品的评价。

三星电子今后将利用该工程与多种顾客公司进行合作。 在此过程中,将制造用于PC或服务器的最新DDR(双重数据传输)或用于构建移动或AI服务器的LPDDR(低电力DRAM)。

最重要的是,该芯片迅速成为HBM(高带宽存储器)市场竞争的变数。

据悉,HBM是将多个DRAM芯片垂直堆叠起来制造,三星电子计划在业界首次在HBM制造中引进1c DRAM。 据悉,SK海力士、美光已经将新一代HBM"HBM4"的样品送往主要客户公司进行质量测试(质量验证),但该产品使用了采用现有1b DRAM工艺的芯片。

三星电子计划通过下半年量产的HBM4,恢复市场主导权。 业界分析认为,这是瞄准HBM世代转换期,在拐角处试图超越的战略。